超细微粉磨粉机
超细微粉磨粉机是一种细粉及超细粉的加工设备,此微粉磨主要适用于中、低硬度,湿度小于6%,莫氏硬度在9级以下的非易燃易爆的非金属物料。它是经过20多次的试验和改进,为超细粉的生产而研发制造的新型磨粉机,…
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超细微粉磨粉机是一种细粉及超细粉的加工设备,此微粉磨主要适用于中、低硬度,湿度小于6%,莫氏硬度在9级以下的非易燃易爆的非金属物料。它是经过20多次的试验和改进,为超细粉的生产而研发制造的新型磨粉机,…
我们公司专业生产大、中型雷蒙磨粉机,拥有22年磨粉经验,科菲达已经成为中国领先的磨粉机制造商和供应商。 R系列雷蒙磨粉机是经过我们的专家优化升级改造,具有低损耗、投资小、环保、占地面积小等优点,它比传…
MTW系列欧式磨粉机是我公司新近推出具有国际先进技术水平,拥有多项自主专利技术产权的最新粉磨设备—MTW系列欧式磨粉机,以悬辊磨粉机9518为基础,采用欧洲先进制造技术,它能满足客户对产品粒度、性能可…
获得了CE和国家专利证书,超压梯形磨粉机享誉澳大利亚、美国、英国、西班牙等客户国家。该机型采用了梯形工作面、柔性连接、磨辊联动增压等五项磨机专利技术,开创了超压梯形磨粉机的世界最高水平。TGM系列超压…
超细立式磨粉机是结合我们公司几年的磨机生产经验,它的设计和研究的基础上立磨技术,吸收了世界各地的超细粉碎理论的一种先进的轧机。本系列产品是一种专业设备,包括超细粉碎,分级和交付。 LUM系列超细立式…
立式磨粉机是一种大型磨粉机,专门为解决工业磨机产量低、耗能高等技术难题,吸收欧洲先进技术并结合我公司多年先进的磨粉机设计制造理念和市场需求,经过多年的潜心设计改进后的大型粉磨设备。立磨采用了合理可靠的…
碳化硅基纳米复相陶瓷粉体的分散、超高压成型及无压烧结 挤出成型制备重结晶碳化硅热端材料的研究 挤出成型碳化硅陶瓷的力学性能和显微结构 颗粒的整形工艺对注浆成型碳化硅素坯密度的影响.pdf 年产30万吨(碳化硅高纯粉体)新材料项目计划书立项申请报告书
技术实现要素: 5.本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的内循环式碳化硅微粉整形 设备。6.为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案: 7.内循环式碳化硅微粉整形设备,包括第一分级机和第二分级机,所述第一 ...
雷达、通讯等领域。目前,碳化硅单晶的生长一般采用PVT法工艺。由于碳化硅单晶生长的最终 目的 ... 慢的恒定速率进行降压,由此来避免碳化硅粉料 形成扬尘。(2)预生长阶段:同理,在预生长阶段,随着工艺气体的充入和温度的逐渐升高 ...
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本申请涉及一种制备碳化硅粉料的装置及方法,属于半导体材料制备的技术领域。背景技术作为可大规模工业化生产的第三代半导体材料,市场对碳化硅单晶的要求日益增高。为缩短碳化硅单晶的生长时间、降低缺陷率,人们对于生长碳化硅晶棒用的碳化硅粉料的要求也随之升高。除了碳化硅粉料的 ...
经过表面整形处理的碳化硅微粉,由于棱角经过处 理,大部分呈球状或者近似球状,有利于提高成型坯体 的体积密度。因此,为了改善坯体的成型性能,提高成 型时体积密度,一般采用表面整形的碳化硅粉体。采用注浆成型或凝胶注模成型时,重结晶碳化硅
碳化硅的导电机理目前还没有一个统一的看法,但是可以肯 定的一点是:碳化硅的伏安特性的非线性是由颗粒间的接触现象所引起的。其电阻可以随电场的增加而自动降低,从而达到自动调节场强的目的。所以碳化硅是一种理想的防电晕材料。
碳化硅晶片 是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料,采用 物理气相传输法 (PVT) 生长碳化硅晶体,加工制成碳化硅晶片。 ①原料合成。将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合,在 2,000℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒。再经过破碎、清洗等工序,制得满足晶体生长要求的高纯度碳化硅微粉原料。
部铺一层,高度H为60‑120mm的碳化硅多晶料。3.根据权利要求2所述的一种碳化硅高温二次退火的方法,其特征在于,在石墨坩埚底 部铺一层,高度H为70‑90mm碳化硅多晶料。4.根据权利要求1所述的一种碳化硅高温二次退火的方法,其特征在于,所述压块为一
中国粉体网讯 近年来,制备高纯SiC粉料逐渐成为SiC单晶生长领域的研究热点。生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高,杂质含量应至少低于%,此外,碳化硅粉料的各项参数都直接影响单晶生长的质量以及电学性能。碳化硅单晶生长工艺路线中,物理气相传输法(PVT)是目前主流的产业化方式 ...
I 一种碳化硅粉料的合成方法与流程 1.本创造涉及碳化硅合成领域,特殊涉及到一种碳化硅粉料的合成方法。 背景技术: 2.碳化硅(sic)作为第三代半导体技术的代表,具有宽禁带、高导热率、高电子饱和迁移速率、 高击穿电场等性质,被广泛应用于制造电力电子、射频器件、光电子器件等领域。
碳化硅粉料整形的目的矿石设备厂家碳化硅粉料整形的目的因此,本发明具有制备工艺简单、设备投资小、生产成本低、产品质量好的特点。碳化硅微粉精密分级装置本实用新型提供一种碳化硅微粉精密分级装置。
一种用于制备碳化硅粉料的石墨坩埚 一种高纯碳化硅、碳化硅晶圆及其制备方法 粉体工程粉体表面改性 碳化硅陶瓷液相烧结预混造粒粉料的制备方法 离子辅助制备碳化硅改性薄膜 一种高光敏活性的碳化硅陶瓷浆料及其制备方法 温度对碳化硅粉料
本发明的另一方面,还包括所述复合粉体在制备碳化硅陶瓷材料中的应用。优选的,所述复合粉体在在烧结过程中,βsic会逐渐转变成αsic变成均一相。与现有技术相比,本发明的有益效果是: 1、本发明选用的粉料为纳米βsic和亚微米级的αsic。
本发明属于材料技术领域,具体涉及一种碳化硅泡沫陶瓷的制备方法,该方法具体提供了一种通过原位固化剂和发泡剂进行料浆发泡固化成型,来实现不同孔隙大小碳化硅泡沫陶瓷的新型发泡成型制备技术。背景技术泡沫陶瓷是具有高孔隙率的多孔陶瓷材料,其孔隙结构类似液气体系中泡沫,因而 ...
氧化腐蚀结合球磨工艺原理是先对磨料颗粒的不规则地方进行氧化处理,例如使碳化硅颗粒的棱角部位完全被氧化,生成二氧化硅,再采用球磨法对碳化硅进行整形研磨处理,对被氧化后的碳化硅颗粒进行研磨,去除其棱角。
碳化硅多孔支撑体的制备及性能研究_ 春鹏《海南大学》2013被引量:2[####]本文以制备高强度和低过滤压降的碳化硅多孔陶瓷支撑体为研究目标。首先对碳化硅粉料进行球磨整形,从而有效提高其在支撑体坯体成型过程中的流动性。其次基于K2O
碳化硅材料具有良好的非线性导电特性,碳化硅的导电机理目前还没有一个统一的看法,但是可以肯定的一点是:碳化硅的伏安特性的非线性是由颗粒间的接触现象所引起的。其电阻可以随电场的增加而自动降低,从而达到自动调节场强的目的。
将粉体颗粒状的碳化硅 在外力作用下将他研磨煅烧一系列操作后得到超细粉体,该 工艺及设备简单,成本也低,但效率高,缺点就是反应中易引入 ...
SiC粉末 制作方式可以分为 机械粉碎法,液相、气相合成法。机械粉碎法还包括行星球磨机,砂磨机,气流法等。液相合成法 包含沉淀法,溶胶凝胶法 等。 气相合成法包含物理、化学气相合成法等。1.机械粉碎法 机械粉碎法的设备有高能球磨、砂磨、气流磨,胶体磨机等。
中国粉体网讯 碳化硅以其优异的物理化学性能在很多领域都有着广泛的应用前景,作为第三代半导体材料,碳化硅单晶是制作高频、大功率电子器件的理想材料。针对用于单晶生长的高纯碳化硅粉料的合成方法与合成工艺的研究现状,中国电子科技集团公司第二研究所的研究人员曾进行了专门的 ...
挤出成型的过程主要包括原料准备、混合、制胚和挤出四个步骤。其中,制胚是最关键的步骤,由于碳化硅粉末的质地较硬,挤出压力较大,因此制胚必须具有足够的可塑性。 .
的充放电比容量和平均首次充放电效率。 可见,放 电比容量和首次充放电效率仍偏低。 整形工艺对人造石墨负极材料性能的影响 针对上述整形、 分级处理后的人造石墨负极材 料仍存在振实密度较低的问题,对整形、分级工艺进 行了适当改进。
球磨法主要探究球磨时间、球料质量比、转速等球磨参数对碳化硅粉体粒径大小、球形度,堆积密度等的影响。通常碳化硅脆性比较大,球磨中只会发生裂碎而不会产生塑性 .
碳化硅(SiC)是一种宽带隙(WBG)半导体材料,其制备工艺对原材料的纯度有严格的要求。采用自主研发的中频感应加热炉对SiC粉体进行粉末热处理和提纯实验,提高粉体纯度。使用 XRD 和 GDMS 表征方法分析纯度为 的样品。结果发现,在 ...
【摘 要】采用机械球磨法对不规则形Leabharlann Baidu碳化硅粉体进行了整形研究.分析了三种不同粒径碳化硅粉体在不同球磨时间下,碳化硅粉体的形貌、圆度、粒径大小及分布的变化,并进 .
碳化硅粉体的整形及其挤出成型.pdf 上传 碳化硅粉体的整形及其挤出成型,挤出成型,挤出成型机,塑料挤出成型,挤出成型工艺,挤出机挤出成型原理,挤出成型工艺流程图,挤出成型新 .
由素坯密度所决定,提高重结晶碳化硅性能的关键是提高成型坯体的密度。 整形时间、进料粒径、转速等和振实密度的关系等,确定最佳整形工艺。 对比. 整形前后碳化硅粉 .
之所以碳化硅成为第三代宽禁带半导体材料,因为其在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率等方面展现出显著优势,也因为其在高温、高压、高频领域的优异表现。 超高纯、类球形 3CSiC微粉(来源:晶彩材料) 半导体案例 1、SiC具有约 eV的宽带隙(相比于硅的 eV);约 W/cm·K 的热 ...
本发明属于碳化硅晶体生长结束后处理领域,具体涉及一种碳化硅晶体高温退火处理方法。背景技术碳化硅单晶生长一般是在高温下进行的,晶体生长结束后,晶体内部存在较大的残余应力。这些应力的存在,很容易导致晶体在加工中出现开裂现象,从而造成整根晶体的报废。因此碳化硅晶体加工前 ...
将碳化硅粉料放在密闭的石墨组成的坩埚底部,坩埚上盖上通过籽晶托固定一个籽晶,籽晶的直径将决定晶体的直径。 SiC粉料在感应线圈的作用下将达到升华温度点,升华产生的 Si、Si 2 C 和 SiC 2 分子在轴向温度梯度的作用下从原料表面传输到籽晶表面,在籽晶表面缓慢结晶达到生长晶 .