超细微粉磨粉机
超细微粉磨粉机是一种细粉及超细粉的加工设备,此微粉磨主要适用于中、低硬度,湿度小于6%,莫氏硬度在9级以下的非易燃易爆的非金属物料。它是经过20多次的试验和改进,为超细粉的生产而研发制造的新型磨粉机,…
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超细微粉磨粉机是一种细粉及超细粉的加工设备,此微粉磨主要适用于中、低硬度,湿度小于6%,莫氏硬度在9级以下的非易燃易爆的非金属物料。它是经过20多次的试验和改进,为超细粉的生产而研发制造的新型磨粉机,…
我们公司专业生产大、中型雷蒙磨粉机,拥有22年磨粉经验,科菲达已经成为中国领先的磨粉机制造商和供应商。 R系列雷蒙磨粉机是经过我们的专家优化升级改造,具有低损耗、投资小、环保、占地面积小等优点,它比传…
MTW系列欧式磨粉机是我公司新近推出具有国际先进技术水平,拥有多项自主专利技术产权的最新粉磨设备—MTW系列欧式磨粉机,以悬辊磨粉机9518为基础,采用欧洲先进制造技术,它能满足客户对产品粒度、性能可…
获得了CE和国家专利证书,超压梯形磨粉机享誉澳大利亚、美国、英国、西班牙等客户国家。该机型采用了梯形工作面、柔性连接、磨辊联动增压等五项磨机专利技术,开创了超压梯形磨粉机的世界最高水平。TGM系列超压…
超细立式磨粉机是结合我们公司几年的磨机生产经验,它的设计和研究的基础上立磨技术,吸收了世界各地的超细粉碎理论的一种先进的轧机。本系列产品是一种专业设备,包括超细粉碎,分级和交付。 LUM系列超细立式…
立式磨粉机是一种大型磨粉机,专门为解决工业磨机产量低、耗能高等技术难题,吸收欧洲先进技术并结合我公司多年先进的磨粉机设计制造理念和市场需求,经过多年的潜心设计改进后的大型粉磨设备。立磨采用了合理可靠的…
径向进给量fr:砂轮径向切入工件的深度,单位为mm。 Ra:以轮廓算术平均偏差评定的表面粗糙度参数,单位为μm。 B:砂轮宽度,单位为mm。 2平面磨削 45钢淬火状态(硬度:40~45HRC)平面磨削 类别Байду номын сангаас Ra fr(mm) fa(mm/双
1 天前 · 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技术和应用进行系统综述 .
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1.本实用新型涉及陶瓷制造技术领域,尤其是涉及一种用于碳化硅材料平面加工治具。背景技术: 2.碳化硅材料(cvd sic)涂层被广泛应用于碳碳复合材料、碳陶复合材料、石墨、以及高温结构件、耐腐结构件等。 sic涂层主要制备方法主要包括料浆法、包埋法、液相反应法和气相沉积法等。
本技术属于激光加工领域,涉及半导体材料的切割,尤其涉及一种碳化硅晶体的激光隐形切片系统。背景技术、激光隐形切割是将激光激聚焦于工件内部,在工件内部形成改质层,从而实现工件分离的方法。碳化硅的莫氏硬度为.~.级,仅次于金刚石,用传统的游离砂浆切割和金刚石线锯切割,材料 ...
最终晶片减薄至210 μm,TTV为 μm,4800#金刚石砂轮减薄后晶片的表面粗糙度值Ra在6~15 nm,根据表3中的工艺参数得出1200#砂轮减薄效率在6~ μm/min,2000#砂轮的减薄效率在~ μm/min,4800#砂轮的减薄碳化硅晶片效率在1~ μm
15kV/1A 的PiN 二极管产品,但是其电流能力远低 于直流输电等高压应用场合的需求。大电流能力就 需要大面积的器件,但是SiC 厚外延生长工艺会引 入的额外的缺陷密度会导致PiN二极管的良率较低 限制大面积芯片的商业化。2005 年Cree 研制了
本技术涉及机械,尤其涉及一种修正轮。背景技术: 1、碳化硅晶片的主要应用领域有led固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性,在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端 ...
本发明涉及半导体器件,特别是涉及一种平面型碳化硅mosfet结构及其制备方法。 背景技术: 1、宽禁带半导体材料碳化硅一种ⅳⅳ族化合物半导体,其具有~的禁 .
量产沟槽碳化硅厂商的做法 量产碳化硅沟槽结构的厂商认为,相比平面型结构,沟槽型碳化硅MOSFET在成本和性能方面都具有较强优势。罗姆是率先转向沟槽MOSFET的公司,而英飞凌并没有选择进入平面结构市场,而是直接选择了沟槽结构。电装的沟槽型
本实用新型属于新能源领域,涉及一种光伏硅棒的线锯加工,尤其涉及一种金刚线预镀导电轮装置。背景技术为了解决大尺寸硅片的加工问题,现有技术采用线锯加工技术将硅棒切割成片。早期的线锯加工技术是采用裸露的金属线和游离的磨料,在加工过程中,将磨料以第三者加入到金属线和加工件 ...
在传统工艺中,jfet区、阱区、沟道区、源区与多晶硅栅极套刻区域都要通过光刻来制作,为了工艺的稳定性,上述区域都要预留μm~μm的套刻余量,这个余量就会增 .
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2.根据权利要求1所述的一种碳化硅静电吸盘,其特征在于,所述碳化硅底座(3)顶部和每个引出电极(4)顶部的平面度达到、粗糙度μm。3.一种碳化硅静电吸盘的制作方法,用于制作如权利要求2所述的碳化硅静电吸盘,其特征在于,所述制作
包括:所述4H SiC衬底层的上表面沉积所述N型SiC外延层,所述N型SiC外延层表面上的一侧沉积P型SiC外延层;所述P型SiC外延层包括:SiO 一种碳化硅平面栅功率MOSFET及制作方法 专利申请日:2024年07月22日 授权公告日:2024年09月27日 专利权期限:20年
8.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅加工的打磨装置,其特征在于,所述箱体(1)的一侧转动连接有两个驱动轴(50),两个驱动轴(50)的圆周均固定连接有同步轮(51),两个同步轮(51)之间传动连接有同步带(52),所述滑杆(9)的一侧固定连接有固定板(47),固定板
SiC JTE (结延伸区)是用于改善硅碳化物(SiC)功率器件电压阻断能力的结构。 SiC JTE的设计对于实现所需的击穿电压并避免因器件边缘处高电场而导致的过早击穿至关 .
1 天前 · 泰科天润"一种超结快恢复平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法"专利公布企业动态 产业 半导体产业网 核心提示:天眼查显示,泰科天润半导体科技(北京)有限公司一种超结快恢复平面 .
本发明公开了一种碳化硅嵌入式电极平面型光导开关及其制作方法,主要解决现有技术中平面型光导开关在相同电极间距下耐压小的问题。该光导开关自下而上为半绝缘碳化硅衬底(1)、致密绝缘氧化层(2)和SiO2钝化
集成异质结二极管的平面栅碳化硅MOSFET器件的制作方法 文档序号: 发布日期: 16:36 阅读:36 来源:国知局 导航: X技术> 最新专利>电气元件制品的制造及其应用技术 本发明涉及半导体功率器件,特别涉及集成异质结二极管的平面栅 ...
3.如权利要求1所述的一种低导通电阻平面栅碳化硅vdmos,其特征在于,所述金属填充结构层的厚度为碳化硅衬底厚度的五分之四。4.如权利要求1所述的一种低导通电阻平面栅碳化硅vdmos,其特征在于,所述均流层的厚度为300nm。技术总结
谁能告诉我砂轮的制作工艺流程?普通砂轮的工艺流程有以下8个步骤:1、配料:按配方要求称量好所需要的各种原材料。2、混料:按工艺要求把磨料以及其他各种材料按先后顺序,及时间要求混合为成型料的过程。3、成型:
用不同的研磨盘,则要求用不同种类的润滑剂。生铁研磨盘需用煤油或汽油作润滑剂。软钢研磨盘——用机油。铜研磨盘——用机油、酒精、碳酸水。凡对铜表面的质量要求特别高时,就用酒精稀释的 滑石粉 或用 凡士林 混合的铁丹粉作润滑
本发明涉及机械加工技术领域,尤其涉及一种刀具、单晶碳化硅材料的加工方法及加工设备。背景技术刀具是机械制造中用于加工的工具,包括车刀、铣刀、刨刀、钻头等,普通的刀具在加工时易产生磨损,或易使工件产生剪切破坏,例如使加工工件产生加工形变和变质层,进而影响工件的精密加工 ...